نکات بسیار کاربردی: الزامات بازرسی و روش‌های اجزای الکترونیکی{0}}دستگاه‌های نیمه‌رسانا (2-Triode 2 چیست)

https٪3a٪2f٪2fwww.kaichuanpower.com٪2f

لوله اثر میدانی: تیوب جلوه میدان MOS یک لوله اثر میدانی فلزی-اکسید-نیمه هادی است که مخفف انگلیسی آن MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor) است که از نوع دروازه عایق است.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT مقادیر متفاوتی می گیرد، رسانایی لایه وارونگی تغییر می کند و IDS های متفاوتی تحت همان VDS تولید می شود و کنترل ولتاژ منبع گیت VGS بر روی IDS جریان منبع-تخلیه را درک می کند.
طبقه‌بندی اثر میدانی: ترانزیستورهای اثر میدانی عمدتاً شامل ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (JFET) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (IGFET) می‌شوند. زیرلایه (B) ترانزیستور اثر میدان گیت عایق شده به منبع (S) متصل است. سه قطب آن عبارتند از دروازه (G)، درین (D) و منبع (S). ترانزیستورها به ترانزیستورهای NPN و PNP تقسیم می شوند و سه قطب آن ها پایه (b)، کلکتور (c) و امیتر (e) هستند. قطب های G، D و S ترانزیستور اثر میدان عملکردی مشابه با قطب های b، c و e ترانزیستور دارند. تفاوت بین ترانزیستورهای اثر گیت عایق و ترانزیستورهای اثر میدانی نوع اتصال در این است که مکانیسم های رسانایی و اصول کنترل جریان آنها اساساً متفاوت است. لوله های نوع اتصال از تغییر در عرض ناحیه تخلیه برای تغییر عرض کانال رسانا به منظور کنترل جریان تخلیه استفاده می کنند. ترانزیستورهای اثر میدان عایق از اثر میدان الکتریکی روی سطح نیمه هادی و مقدار بار القایی الکتریکی برای تغییر کانال رسانا برای کنترل جریان استفاده می کنند. تفاوت در خواص آنها به این معنی است که ترانزیستورهای اثر میدان اتصال اغلب در مرحله ورودی (پیش مرحله) تقویت کننده های قدرت استفاده می شوند، در حالی که ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق در مرحله نهایی (مرحله خروجی) تقویت کننده های قدرت استفاده می شوند. اصل کار ترانزیستور اثر میدان مانند ترانزیستور است، با این تفاوت که یکی از آنها یک جزء کنترل شده با ولتاژ و دیگری یک قطعه کنترل شده با جریان است. ترانزیستور اثر میدان فقط یک اتصال PN دارد، همانطور که در شکل 1-1 نشان داده شده است.